SJ 50033.134-1997 半导体分立器件3DD167型低频大功率晶体管详细规范
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B0A9D3315FCD47F4A84844713685B1C4 |
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2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/134-97,半导体分立器件,3DD167型低频大涼率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DD167,low - frequency and high - power transistor,1997.06-17 发布 1997.10.01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DD167型低频大功率晶体管详细规范 0 50033/134-97,Semicoductor discrete devices,Detail specification for type 3DD167,low-frequency and high - power transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DD167B~F型低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级.,按GJB 33(半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的产品保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-94 双极型晶体管,GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GB 12300-90 功率晶体管安全工作测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,引出端表面应为锡层或镇层,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 !997-10-0I实施,一 1 —,SJ 50033/134-97,器件采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I中的B2-01D型及如下规定。见图1〇,mm,求B2-01D,min nom max,A 12.0 15.5,%,帖2 3,初33.0,d 9.5*,F 3.70,L 17.0,Lt 1.5,超5.1 5.3,q 42.7 43.3,Ri 18,& 5,s 250,Ut 53.3,5 36.0,1一基极,2ー发射极,集电极接外壳,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,注:l)Tc>25じ时,按L5W/K的速率线性地降额,型号,tot,Tc = 25t,VcBO,V,VcEO,V,Vebo,V,/c,A,Tj,C V,3DD167B,3DD167C,3DD167D,3DD167E,3DD167F,225,150 100,5 15 175 -55 .175,200 150,250 200,350 250,400 300,2,SJ 50033/134-97,3.3.2 主要电特性(Ta = 25じ),注:1)ん砌《40时,其谩差小于±20%;ん加>40时,、极限值,型号X,九 FE1",Vce=5V,/CS=7.5A,VcEaat,/C = 7.5A,Ib = 0.75A,V,Vbx,/c = 7.5A,/B = 0.75A,V,Vce=10V,Ic=2A,K/W,最大值最大值最大值,3DD167B~F,橙:25-40,黄:40~55,绿:55-80,蓝:80-120,1.5 2.0 0,66,其误差小于±10%,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,器件标志应符合GJB 33及本规范的规定,4质?保证规定,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.1 抽样和检验,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,(见GJB 33的-2),测试或试验,3.热冲击,(温度循环),试验条件:F-1,循环:20次,温度:-55匕,7.中间电参数测试ICBOI和るFE1,8,功率老炼,功率老炼条件如下:,Tj = 162,5± 12.51,VCE = 25V,P3》112.5W,9.最后测试,按本规范表1的A2分组,△[而1《初始值的100%或0.5mA取较大者,丨4ん池《初始值的20%,4.4 质量一致性检验,—3 -,SJ 50033/134-97,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射极,击穿电压,3DD167B,3DD167C,3DD167D,3DD167E,3DD167F,发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,……
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